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CSD19536KCS
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
CSD19536KCS
单 FET，MOSFET产品简介：采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD19536KCS 供应商
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CSD19536KCS 中文资料属性参数
- 现有数量：3,818现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥37.68000管件
- 系列：NexFET?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：153 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12000 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220-3
- 封装/外壳：TO-220-3
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品概述
这款 100V，2.3mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。