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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD19532KTT 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥20.19000剪切带（CT）500 : ￥11.96460卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5060 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
- 次级侧同步整流器
- 热插拔
- 电机控制
产品概述
这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD19532KTT 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD19532KTTT
|
MOSFET N-CH 100V TO-263-3 |
12页,368K | 查看 |
CSD19532KTT 电路图
CSD19532KTT 电路图