搜索
发布采购
CSD19501KCS
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
CSD19501KCS
单 FET，MOSFET产品简介：采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD19501KCS 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
CSD19501KCS 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥15.98000管件
- 系列：NexFET?
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.6 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3980 pF @ 40 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：217W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220-3
- 封装/外壳：TO-220-3
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品概述
这款 80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET
功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。