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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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一级代理原装
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TI(德州仪器)
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TO-263-3
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
CSD18510KTTT 中文资料属性参数
- 现有数量：1,121现货9,950Factory
- 价格：1 : ￥21.46000剪切带（CT）50 : ￥18.16560卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：274A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：132 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11400 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
产品概述
这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。