CSD18503KCS
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
CSD18503KCS
单 FET,MOSFET产品简介:采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD18503KCS 中文资料属性参数
- 现有数量:277现货5,150Factory
- 价格:1 : ¥14.15000管件
- 系列:NexFET?
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 75A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3150 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):188W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- TO-220 塑料封装
产品概述
这款 40V、3.6mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。