搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17585F5 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
CSD17585F5
-
TI
连可连代销V -
2
-
上海市
-
-
-
1
-
TI(德州仪器)
-
PICOSTAR-3
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
CSD17585F5 中文资料属性参数
- 现有数量：5,585现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.66000剪切带（CT）3,000 : ￥1.04939卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.9A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 900mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.1 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-SMD，无引线
产品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸 1.53mm x 0.77mm
- 1.53mm x 0.77mm
- 薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV HBM 额定值 > 2kV CDM
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 。 . . . . .
CSD17585F5 电路图
CSD17585F5 电路图