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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17577Q5A 供应商
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CSD17577Q5A 中文资料属性参数
- 现有数量：10,871现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥6.20000剪切带（CT）2,500 : ￥2.47417卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2310 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3W（Ta），53W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制和同步 FET 应用进行了优化
产品概述
这款 30V，3.5mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
CSD17577Q5A 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD17577Q5AT
|
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON |
13页,368K | 查看 |
CSD17577Q5A 电路图
CSD17577Q5A 电路图