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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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CSD17576Q5BT 中文资料属性参数
- 现有数量：477现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥11.92000剪切带（CT）250 : ￥7.75976卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4430 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
产品概述
这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。
CSD17576Q5BT 电路图
CSD17576Q5BT 电路图