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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17575Q3 供应商
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CSD17575Q3 中文资料属性参数
- 现有数量：79,398现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥8.51000剪切带（CT）2,500 : ￥3.86365卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4420 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），108W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品概述
这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
CSD17575Q3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD17575Q3T
|
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON |
13页,445K | 查看 |
CSD17575Q3 电路图
CSD17575Q3 电路图