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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17573Q5B 供应商
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TI
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VSON-8
22+ -
2500
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上海市
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原厂原装上海仓现货
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TI
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VSON-8
24+ -
30368
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上海市
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TI
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8-VSON (5x6)
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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TI
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原封
23+ -
10000
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上海市
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向毛主席保证原装特价
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23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
CSD17573Q5B 中文资料属性参数
- 现有数量：10,601现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥12.32000剪切带（CT）2,500 : ￥6.25028卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9000 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），195W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 超低导通电阻 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
产品概述
此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD17573Q5B 电路图
CSD17573Q5B 电路图