更新日期:2025-03-27 14:03:14
产品简介:采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD17571Q2
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TI
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深圳
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03-27
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TI
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原厂原装
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上海市
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6-SON (2x2)
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46000
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合肥
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CSD17571Q2 中文资料属性参数
- 现有数量:27,378现货9,000Factory
- 价格:1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥1.33635卷带(TR)
- 系列:NexFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):468 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:6-SON(2x2)
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
- 针对负载开关应用进行了优化
- 存储、平板电脑和手持设备
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
产品概述
这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。
CSD17571Q2 电路图

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