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CSD17559Q5
单 FET，MOSFET更新日期：2025-03-27 14:03:14
CSD17559Q5
单 FET，MOSFET产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17559Q5 供应商
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CSD17559Q5
原装现货 -
TI
-
VSONP-8
21+22+ -
14480
-
深圳
-
03-27
-
????
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
CSD17559Q5 中文资料属性参数
- 现有数量：3,766现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥22.34000剪切带（CT）2,500 : ￥11.35246卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.15 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：51 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9200 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 同步整流
- 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
产品概述
这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
CSD17559Q5 电路图
CSD17559Q5 电路图