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更新日期：2025-03-27 14:03:14
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17556Q5B 供应商
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CSD17556Q5B
原装现货 -
TI
-
VSON-8
22+ -
475
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深圳
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03-27
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????
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TI
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SOP
2021+ -
30000
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苏州
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原装
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TI
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VSONP8
22+ -
2500
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上海市
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-
-
原厂原装上海仓现货
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TI/德州仪器
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QFN
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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TI
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原封
23+ -
10000
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上海市
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向毛主席保证原装特价
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23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
CSD17556Q5B 中文资料属性参数
- 现有数量：3,576现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥18.92000剪切带（CT）2,500 : ￥9.15829卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.65V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7020 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），191W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
产品概述
此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。
CSD17556Q5B 电路图
CSD17556Q5B 电路图