搜索
发布采购
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17382F4T 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
TI
-
原厂原装
22+ -
3288
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
TI(德州仪器)
-
PICOSTAR-3
2022+ -
12000
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
CSD17382F4T 中文资料属性参数
- 现有数量：14,224现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥6.68000剪切带（CT）250 : ￥4.34128卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：64 毫欧 @ 500mA，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：347 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） 1.0mm × 0.6mm
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM) 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 . . . . .
CSD17382F4T 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD17382F4T
|
MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR |
13页,587K | 查看 |
CSD17382F4T 电路图
CSD17382F4T 电路图