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CSD17381F4
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
CSD17381F4
单 FET，MOSFET产品简介：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD17381F4 中文资料属性参数
- 现有数量：4,620现货
- 价格：1 : ￥3.18000剪切带（CT）3,000 : ￥0.70118卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：109 毫欧 @ 500mA，8A
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.35 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：195 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） 1.0mm × 0.6mm
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM) 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 . . . . .
CSD17381F4 电路图
CSD17381F4 电路图