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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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原厂原装
22+ -
3288
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上海市
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CSD17318Q2T 中文资料属性参数
- 现有数量：4,187现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥8.35000剪切带（CT）250 : ￥5.43520卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.1 毫欧 @ 8A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：879 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：16W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 低电容和电荷
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
产品概述
这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON
针对封装尺寸提供了出色的散热性能。
CSD17318Q2T 电路图
CSD17318Q2T 电路图