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更新日期：2024-04-01
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD17308Q3T 供应商
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CSD17308Q3T 中文资料属性参数
- 现有数量：850现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥7.63000剪切带（CT）250 : ￥4.99096卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），44A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.3 毫欧 @ 10A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.1 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：700 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta），28W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。
CSD17308Q3T 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD17308Q3T
|
MOSFET N-CH 30V 50A |
13页,407K | 查看 |
CSD17308Q3T 电路图
CSD17308Q3T 电路图