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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD16415Q5T 供应商
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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一级代理原装
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
CSD16415Q5T 中文资料属性参数
- 现有数量：325现货
- 价格：1 : ￥21.31000剪切带（CT）250 : ￥14.88380卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.15 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：+16V，-12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 12.5 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
- 极低接通电阻
- 低热阻性
- 额定雪崩能量
- 无铅端子电镀
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
产品概述
此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
CSD16415Q5T 电路图
CSD16415Q5T 电路图