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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD16327Q3T 供应商
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TI
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原厂原装
22+ -
3288
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一级代理原装
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
CSD16327Q3T 中文资料属性参数
- 现有数量：6,768现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥10.18000剪切带（CT）250 : ￥6.65376卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 24A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 12.5 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：74W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。
CSD16327Q3T 电路图
CSD16327Q3T 电路图