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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD15380F3 中文资料属性参数
- 现有数量：82,811现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.42000剪切带（CT）3,000 : ￥0.63599卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1190 毫欧 @ 100mA，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.35V @ 2.5μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.281 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10.5 pF @ 10 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 超低 CiSS 和 COSS
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸 0.73mm × 0.64mm
- 0.73mm × 0.64mm
- 超薄型封装 最大厚度为 0.36mm
- 最大厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV HBM 额定值 > 2kV CDM
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 20V、990mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。超低电容提高了开关速度。在数据线应用中使用时，低电容可最大限度地降低噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
CSD15380F3 电路图
CSD15380F3 电路图