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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD13385F5 中文资料属性参数
- 现有数量：49,106现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.66000剪切带（CT）3,000 : ￥1.04978卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 900mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：674 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-SMD，无引线
产品特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸 1.53mm x 0.77mm
- 1.53mm x 0.77mm
- 薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 4kV HBM 额定值 > 2kV CDM
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 . . . .