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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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PICOSTAR-3
2022+ -
12000
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上海市
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原装可开发票
CSD13383F4T 中文资料属性参数
- 现有数量：5,178现货
- 价格：1 : ￥6.76000剪切带（CT）250 : ￥4.42588卷带（TR）
- 系列：FemtoFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：291 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：3-PICOSTAR
- 封装/外壳：3-XFDFN
产品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸） 1.0mm × 0.6mm
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型封装 厚度为 0.36mm
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM) 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 额定值 > 2kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
产品概述
该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 . . . .
CSD13383F4T 电路图
CSD13383F4T 电路图