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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
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CSD13306W 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.44171卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.2m? @ 1.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.2 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
- 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
产品概述
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD13306W 电路图
CSD13306W 电路图