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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单通道、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD13303W1015 供应商
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CSD13303W1015 中文资料属性参数
- 现有数量：56现货3,000Factory
- 价格：1 : ￥4.21000剪切带（CT）3,000 : ￥1.40475卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20mOhm @ 1.5A， 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：715 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.65W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）
- 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 超低接通电阻
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小封装尺寸
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装
产品概述
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。
CSD13303W1015 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CSD13303W1015
|
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
11页,823K | 查看 |
CSD13303W1015 电路图
CSD13303W1015 电路图