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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD13202Q2 供应商
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CSD13202Q2 中文资料属性参数
- 现有数量：18,793现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥4.45000剪切带（CT）3,000 : ￥1.56494卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.3 毫欧 @ 5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：997 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
产品概述
此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
CSD13202Q2 电路图
CSD13202Q2 电路图