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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：采用 1mm x 1mm WLP 封装的单通道、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情CSD13201W10 供应商
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TI
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2021+ -
28000
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苏州
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CSD13201W10 中文资料属性参数
- 现有数量：49,572现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥3.74000剪切带（CT）3,000 : ￥1.07326卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.9 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：462 pF @ 6 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：4-DSBGA（1x1）
- 封装/外壳：4-UFBGA，DSBGA
产品特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小型封装尺寸 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
产品概述
此器件设计用于在
超低高度并具有出色散热特性的
尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通
电阻和栅极电荷。
CSD13201W10 电路图
CSD13201W10 电路图