CGHV1F006S
RF FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
CGHV1F006S
RF FET,MOSFET产品简介:RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
CGHV1F006S 中文资料属性参数
- 现有数量:377现货
- 价格:1 : ¥514.99000剪切带(CT)250 : ¥421.35276卷带(TR)
- 系列:GaN
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:HEMT
- 配置:-
- 频率:6GHz
- 增益:16dB
- 电压 - 测试:40 V
- 额定电流(安培):950mA
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:60 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:100 V
- 安装类型:-
- 封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:12-DFN(4x3)
CGHV1F006S 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
CGHV1F006S
|
RF Mosfet HEMT 40V 60mA 6GHz 16dB 8W 12-DFN (4x3) |
22页,1.94M | 查看 |
CGHV1F006S-AMP3
|
DEMO HEMT TRANS AMP3 CGHV1F006S |
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