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CG2H80120D-GP4
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
CG2H80120D-GP4
RF FET，MOSFET产品简介：120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2
CG2H80120D-GP4 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：10 : ￥1,392.68000托盘
- 系列：GaN
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：HEMT
- 配置：-
- 频率：8GHz
- 增益：12dB
- 电压 - 测试：28 V
- 额定电流（安培）：28A
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：-
- 功率 - 输出：120W
- 电压 - 额定：84 V
- 安装类型：-
- 封装/外壳：模具
- 供应商器件封装：模具