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CE3512K2-C1
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
CE3512K2-C1
RF FET，MOSFET产品简介：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
CE3512K2-C1 中文资料属性参数
- 现有数量：23,966现货
- 价格：1 : ￥8.43000剪切带（CT）10,000 : ￥3.81595卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：pHEMT FET
- 配置：-
- 频率：12GHz
- 增益：13.7dB
- 电压 - 测试：2 V
- 额定电流（安培）：15mA
- 噪声系数：0.5dB
- 电流 - 测试：10 mA
- 功率 - 输出：125mW
- 电压 - 额定：4 V
- 安装类型：-
- 封装/外壳：4-Micro-X
- 供应商器件封装：4-Micro-X
CE3512K2-C1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 CE3512K2-C1
|
RF Mosfet N-Channel 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
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