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CC-CN-23-0123
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
CC-CN-23-0123
单 FET，MOSFET产品简介：SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
CC-CN-23-0123 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-247
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
CC-CN-23-0123 中文资料属性参数
- 现有数量：100市场
- 价格：在售
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- FET 类型：-
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 10A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：810 pF @ 200 V
- FET 功能：标准
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-3
- 封装/外壳：TO-247-3