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CAB650M17HM3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
CAB650M17HM3
FET、MOSFET 阵列产品简介：650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
CAB650M17HM3 供应商
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- 型号
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- 说明
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isc/固电半导体
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S110X65-9L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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Wolfspeed, Inc.
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标准封装
23+ -
1051
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上海市
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全新原装现货直销
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Wolfspeed， Inc.
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标准封装
23+ -
1051
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苏州
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全新原装现货直销
CAB650M17HM3 中文资料属性参数
- 现有数量：1现货
- 价格：1 : ￥35,922.91000散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1700V（1.7kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：916A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.86 毫欧 @ 650A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 305mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2988nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：97300pF @ 1200V
- 功率 - 最大值：50mW
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：模块