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CAB006A12GM3
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
CAB006A12GM3
FET、MOSFET 阵列产品简介：1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
CAB006A12GM3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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N63X57-9L
2024+ -
1000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
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Wolfspeed, Inc.
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标准封装
23+ -
1051
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上海市
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-
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全新原装现货直销
-
Wolfspeed， Inc.
-
标准封装
23+ -
1051
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苏州
-
-
-
全新原装现货直销
CAB006A12GM3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥2,796.62000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.9 毫欧 @ 200A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 69mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：708nC @ 15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：20400pF @ 800V
- 功率 - 最大值：10mW（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：-