C3M0350120J
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
C3M0350120J
单 FET,MOSFET产品简介:SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
C3M0350120J 中文资料属性参数
- 现有数量:2,874现货
- 价格:1 : ¥52.95000管件
- 系列:C3M?
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):455 毫欧 @ 3.6A,15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):13 nC @ 15 V
- Vgs(最大值):+15V,-4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):345 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):40.8W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA

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