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C3M0120090J-TR
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
C3M0120090J-TR
单 FET，MOSFET产品简介：SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
C3M0120090J-TR 中文资料属性参数
- 现有数量：3,190现货
- 价格：1 : ￥93.81000剪切带（CT）800 : ￥61.11885卷带（TR）
- 系列：C3M?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：155 毫欧 @ 15A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.3 nC @ 15 V
- Vgs（最大值）：+18V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：350 pF @ 600 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：83W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263-7
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA