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BUK9K29-100E,115
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
BUK9K29-100E,115
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
BUK9K29-100E,115 中文资料属性参数
- 现有数量：1,191现货
- 价格：1 : ￥15.26000剪切带（CT）1,500 : ￥7.51398卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3491pF @ 25V
- 功率 - 最大值：68W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
- 供应商器件封装：LFPAK56D
BUK9K29-100E,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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 BUK9K29-100E,115
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MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D |
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