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BTS282ZE3180AATMA2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
BTS282ZE3180AATMA2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
BTS282ZE3180AATMA2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Infineon
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PG-TO263-7
21+ -
1936
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上海市
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一级代理原装
BTS282ZE3180AATMA2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥53.98000剪切带（CT）1,000 : ￥30.60768卷带（TR）
- 系列：TEMPFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：49 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 36A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 240μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：232 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4800 pF @ 25 V
- FET 功能：温度检测二极管
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TO263-7-1
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA