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BSZ15DC02KDHXTMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSZ15DC02KDHXTMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON
BSZ15DC02KDHXTMA1 供应商
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INFINEON
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PG-TSDSON-8-31
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
BSZ15DC02KDHXTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥10.41000剪切带（CT）5,000 : ￥4.21323卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, HEXFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.2A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 110μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：419pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL