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BSZ042N06NSATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSZ042N06NSATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
BSZ042N06NSATMA1 供应商
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Infineon
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PG-TSDSON-8
23+ -
35000
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上海市
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原装可开增票
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
BSZ042N06NSATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥14.95000剪切带（CT）5,000 : ￥6.57282卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 36μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL
- 封装/外壳：8-PowerTDFN