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BSS670S2LH6327XTSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSS670S2LH6327XTSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
BSS670S2LH6327XTSA1 供应商
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U SOTInfineon
22+ -
20206
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杭州
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INFINEON
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PG-SOT23-3-5
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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INF
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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MOSFET
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Infineon
连可连代销V -
3000
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上海市
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Infineon
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BSS670S2LH6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.58000剪切带（CT）3,000 : ￥0.67280卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：650 毫欧 @ 270mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 2.7μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：75 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT23
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3