搜索
发布采购
BSS223PWH6327XTSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSS223PWH6327XTSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
BSS223PWH6327XTSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-SOT323-3
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
INFINEON/英飞凌
-
NA
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
Infineon
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
2056
-
上海市
-
-
-
1
-
INFINEON
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
BSS223PWH6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥3.02000剪切带（CT）3,000 : ￥0.55761卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：390mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.5μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.62 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：56 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：250mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT323
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323