搜索
发布采购
BSS126H6327XTSA2
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSS126H6327XTSA2
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSS126H6327XTSA2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-SOT23-3
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
2400
-
上海市
-
-
-
1
-
INFINEON
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
-
INFINEON
-
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin S
22+ -
78000
-
上海市
-
-
-
原装，假一罚十
BSS126H6327XTSA2 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥4.21000剪切带（CT）3,000 : ￥1.49310卷带（TR）
- 系列：SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 8μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.1 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28 pF @ 25 V
- FET 功能：耗尽模式
- 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT23
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3