BSP316PH6327XTSA1
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
BSP316PH6327XTSA1
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
BSP316PH6327XTSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
- 询价
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INFINEON
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PG-SOT223-4
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
BSP316PH6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥7.63000剪切带(CT)1,000 : ¥3.24412卷带(TR)
- 系列:SIPMOS?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.8 欧姆 @ 680mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 170μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):6.4 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):146 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.8W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-SOT223-4
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA