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BSP149H6906XTSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSP149H6906XTSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSP149H6906XTSA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
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Infineon
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PG-SOT223-4
21+ -
3000
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上海市
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一级代理原装
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BSP149H6906XTSA1
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Infineon
连可连代销V -
82
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上海市
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1
BSP149H6906XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥11.21000剪切带（CT）1,000 : ￥5.11234卷带（TR）
- 系列：SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：660mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 660mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 400μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：430 pF @ 25 V
- FET 功能：耗尽模式
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT223-4
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA