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BSP135H6327XTSA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
BSP135H6327XTSA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
BSP135H6327XTSA1 供应商
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INFINEON
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PG-SOT223-4
23+ -
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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BSP135H6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥12.08000剪切带（CT）1,000 : ￥5.48925卷带（TR）
- 系列：SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.9 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：146 pF @ 25 V
- FET 功能：耗尽模式
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT223-4
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA