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BSO615NGXUMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSO615NGXUMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 8-SOIC
BSO615NGXUMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Infineon
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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INFINEON
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22+/23+ -
5000
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上海市
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原装，假一罚十
BSO615NGXUMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：27,146现货
- 价格：1 : ￥8.90000剪切带（CT）2,500 : ￥3.77938卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101, SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 2.6A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：PG-DSO-8