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BSO211PNTMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSO211PNTMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8PDSO
BSO211PNTMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
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Infineon
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SOIC8
21+ -
1370
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上海市
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一级代理原装
BSO211PNTMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：1,370现货
- 价格：1 : ￥6.84000剪切带（CT）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 4.7A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：920pF @ 15V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：PG-DSO-8
BSO211PNTMA1 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BSO211PNTMA1
|
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
8页,82K | 查看 |