搜索
发布采购
BSM300D12P2E001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
BSM300D12P2E001
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 1200V 300A
BSM300D12P2E001 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ROHM
-
??μ
20+ -
48
-
上海市
-
-
-
оо9999?
-
ROHM
-
标准封装
23+ -
1051
-
苏州
-
-
-
全新原装现货直销
-
ROHM
-
标准封装
23+ -
1051
-
上海市
-
-
-
全新原装现货直销
BSM300D12P2E001 中文资料属性参数
- 现有数量：67现货
- 价格：1 : ￥6,777.61000托盘
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：在售
- 技术：碳化硅（SiC）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 68mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：35000pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1875W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：模块
- 供应商器件封装：模块
BSM300D12P2E001 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BSM300D12P2E001
|
MOSFET 2N-CH 1200V 300A |
10页,1.02M | 查看 |