搜索
发布采购
BSG0811NDATMA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSG0811NDATMA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
BSG0811NDATMA1 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
INFINEON
-
PG-TISON-8
23+ -
6600
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
MOSFET
-
Infineon
连可连代销V -
15
-
上海市
-
-
-
1
BSG0811NDATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：14,016现货
- 价格：1 : ￥22.66000剪切带（CT）5,000 : ￥9.98023卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A，41A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100pF @ 12V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TISON-8