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BSD840NH6327XTSA1
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
BSD840NH6327XTSA1
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
BSD840NH6327XTSA1 供应商
- 公司
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- 封装/批号
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- 说明
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INFINEON
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PG-SOT363-6
23+ -
6600
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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Infineon
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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BSD840NH6327XTSA1
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Infineon
连可连代销V -
8892
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上海市
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1
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
BSD840NH6327XTSA1 中文资料属性参数
- 现有数量：99,500现货
- 价格：1 : ￥2.94000剪切带（CT）3,000 : ￥0.84706卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：880mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 880mA，2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.26nC @ 2.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：78pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：PG-SOT363-PO