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BSC014N04LSIATMA1
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
BSC014N04LSIATMA1
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
BSC014N04LSIATMA1 供应商
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MOSFET
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连可连代销V -
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上海市
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
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合肥
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BSC014N04LSIATMA1 中文资料属性参数
- 现有数量：76,807现货
- 价格：1 : ￥24.41000剪切带（CT）5,000 : ￥11.80228卷带（TR）
- 系列：OptiMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.45 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4000 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），96W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL
- 封装/外壳：8-PowerTDFN